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  • 蒸着膜厚
    Aｌ膜は約２ﾐｸﾛﾝ、Cu+Ni膜は約１ﾐｸﾛﾝです。通常の真空蒸着法による装飾用アルミ蒸着膜厚　 （０．０３〜０．０７ﾐｸﾛﾝ）と比較すると極端に厚いシールド膜を実現いたしました。
  • シールド効果
    高周波数帯域において、高周波イオンプレーティング膜は高いシールド効果を示しております。
  • 密着性
    UL規格に規定される粘着テープテストにおいて、高周波イオンプレーティング膜は、５Bの認定を得ています。
  • 環境にやさしい
    高周波イオンプレーティング法はDRYプロセスであり、環境を汚染する物質は生じません。
高周波イオンプレーティング
Al
 高周波イオンプレーティング
Cu+Ni
 高周波イオンプレーティング
Cu+lS


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