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従来のEMIシールド技術としては、無電解メッキ法、真空蒸着法が挙げられます。無電解メッキ法には、WETプロセスのために生めず環境への悪影響、マスキング形状の大きな制限、また、真空蒸着法には、蒸着膜のつきまわりの悪さという欠点がありました。 我々は、このような欠点を克服するために、ハイスピード高周波イオンプレーティング法を用いて、克服いたしました。 |
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この方法によれば、まず、プラズマエッチングにより、プラスチック表面を粗化、かつ油脂などの蒸着阻害物を除去できるので、蒸着膜の密着性がひじょうに向上します。 プラスチックの種類によっては、この工程で充分な脱脂と粗化が達成可能なため、アンダーコートを省くことができ、コスト低減になります。 |
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つづいて、プラズマ環境で蒸着が行われるので、蒸着金属粒子の軌跡は、真空蒸着とは異なり、単に直進するのではなく、プラズマ構成ガス分子または電子に衝突し反射され、蒸着漕内の空間の全方向に及ぶ。その結果、蒸着密度が増大し、また、プラスチック成形品が複雑な三次元形状であっても良好なつきまわりを実現できます。 | ![]() | |||
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この写真はCBCイングス(株)様より引用しました。
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